印度第一家半导体制造厂将在未来几周落地称手机99%都将是国内生产
2024-05-113月15日消息，据Business Standard报道，印度联邦电子和信息技术部长阿什维尼·维什瑙周二表示，印度第一家半导体制造厂将在未来几周内宣布。队伍表示有信心。 印度表示，将在几周内宣布该国的第一家半导体制造厂，99%的手机都是国内生产的。 Vaishnaw在印度工业联合会（CII）伙伴关系峰会上表示：“我们正接近一个拐点，几周内就会宣布第一家制造厂。这仅仅是个开始。“来三到四年，印度将拥有一个充满活力的半导体产业。这位联邦部长在会上说。 印度政府宣布拨款100亿美元（目前约688亿元
三星电子在美国的半导体芯片工厂建设预算将超250亿美元
2024-05-113月17日消息，根据行业消息源，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市（Taylor）的半导体芯片工厂受到“通货膨胀”影响，原本的投资预算从170亿美元（当前约1173亿元人民币）上涨至250亿美元（当前约1725亿元人民币），增加了80亿美元。 就在今年1月16日消息，三星电子半导体芯片部门负责人庆桂显（KyungKye-hyun）本周五在个人Instagram上表示，位于美国得克萨斯州泰勒市（Taylor）的新半导体工厂建设进展顺利，将按计划在今年内完工。他在Instagram中表示：“泰勒市的
我国第四代半导体再突破8英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
2024-05-11就在这周，迎来了一个好消息，从西安邮电大学官网获悉，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 团队负责人陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化
三星合并日本两家半导体研发机构，并在日本设立DSRJ中心
2024-05-113月18日，据Pulse News报道，三星最近合并了位于横滨和大阪的两个研发机构(半导体和显示器)，在日本创建了一个名为DSRJ的综合研发中心。据报道，新中心位于三星横滨研究所内。 三星表示，合并两个研发中心的主要原因是韩日关系缓和，希望在日本建立新的半导体和显示器研发中心。 据报道，三星在日本成立了一个新的设备体验部设备体验研究中心，名为“三星日本研究中心”三星希望通过重组与设备解决方案相关的研发组织，提升半导体和显示器综合开发能力。
开始布局第三代化合物半导体
2024-05-11化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。化合物半导体集成电路是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶（主要是硅单晶）片上。 3月20日消息，闻泰科技今日在投资者互动平台表示，公司已布局第三代化合物半导体，主要聚焦于由减少碳排放和绿色能源所带来技术机遇，更加注重功率器件，以增强和扩展半导体产品组合，提供更多复杂的高功率产品，包括SiC与GaN。
半导体制程厂用水极为苛刻，台积电做到一滴水循环使用3.5次
2024-05-113月21日消息，据台湾地区《联合报》消息，台积电今日针对南科水情吃紧作出回应，称半导体公司就不同的限水阶段备有应对计划，同时携手政府、私人单位就节水与开发水资源等范畴共同努力。 半导体产业是名副其实的“水老虎”，在制造过程中需要依赖大量的水源，尤其是半导体制程需要使用超纯水（Ultrapure water），而制作超纯水的过程要使用几倍的自来水，用水量相当惊人。 超纯水（UPW）是被净化到高规格水平的水，其干净程度大约是自来水的1000倍。其标准是，水中仅含有H20，以及适度数量的H+和OH-
全球晶圆半导体设备厂业务开始放缓,预计2024年复苏
2024-05-112023 年的下降将源于芯片需求减弱以及消费和移动设备库存增加。明年晶圆厂设备支出的复苏将在一定程度上受到 2023 年半导体库存调整结束以及高性能计算（HPC）和汽车领域对半导体需求增强的推动。 3月22日消息，国际半导体产业协会（SEMI）预测报告数据显示，预计2023年全球晶圆厂设备支出将同比下降22%，从2022年的980亿美元（当前约6732.6亿元人民币）的历史新高降至760亿美元（约5221.2亿元人民币），2024年将同比增长21%，恢复到920亿美元（约6320.4亿元人民币
Nexperia安世半导体BC847A 215三极管TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB：技术与应用 Nexperia安世半导体是全球领先的专业半导体生产商，他们提供了一系列高质量、高性能的电子元器件。今天我们将要介绍的是Nexperia安世半导体的BC847A 215三极管TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB。 一、技术特性 BC847A是一种NPN型三极管，其工作电压为45V，电流为0.1A。这种三极管具有高饱和压降和低栅极电荷，因此在高速和低功耗应用中表现
Realtek瑞昱半导体RTL8106E-CG芯片 的技术和方案应用介绍
2024-05-11Realtek瑞昱半导体RTL8106E-CG芯片技术与应用介绍 Realtek瑞昱半导体是一家全球知名的半导体设计公司，其RTL8106E-CG芯片是一款高性能、低功耗的网络芯片，具有广泛的应用前景。 RTL8106E-CG芯片采用先进的SoC技术，集成度高，性能优异。它支持高速以太网接口，传输速率可达2.5Gbps，满足现代网络应用的需求。该芯片还具有低功耗特性，适用于各种物联网设备、无线路由器、交换机等设备。 在实际应用中，Realtek瑞昱半导体的RTL8106E-CG芯片提供了多种解
Realtek瑞昱半导体RTL8100C-LF芯片 的技术和方案应用介绍
2024-05-11Realtek瑞昱半导体RTL8100C-LF芯片技术与应用介绍 Realtek瑞昱半导体是一家全球知名的半导体设计公司，其RTL8100C-LF芯片是一款高性能、低成本的以太网控制器芯片。该芯片以其独特的技术优势和方案应用，在物联网、智能家居等领域中得到了广泛的应用。 RTL8100C-LF芯片采用高速的以太网PHY（物理层）技术，支持千兆以太网和百兆以太网，具有高速、低功耗、低成本的特点。该芯片支持ACPI（高级配置与接口）和PCIe接口，可与各种微控制器和处理器进行无缝连接，实现高速数据